壓電晶體器件襯底超精密清洗的研究
發(fā)布時(shí)間:2020-11-25分享至:
1,應(yīng)用領(lǐng)域: 石英晶片清洗效果評(píng)判
2,測(cè)試方法:座滴法
3,測(cè)試樣品名稱:石英晶片
4,測(cè)接觸角實(shí)驗(yàn)過程:
? ?實(shí)驗(yàn)一:清洗溫度對(duì)晶片清洗后接觸角的影響
? ?實(shí)驗(yàn)步驟:晶片表面接觸角大小是衡量晶片表面潔凈程度的重要參考標(biāo)準(zhǔn),晶片表面接觸角小于10°時(shí),則認(rèn)為清洗合格。在晶片清洗的過程中,溫度不僅直接影響油污和清洗劑性質(zhì),而且在超聲清洗工藝中與空化強(qiáng)度有密切關(guān)系。因此,在清洗工藝中溫度對(duì)晶片清洗效果有重要的影響。為了確定AFT101在AU清洗工藝中最佳的清洗溫度,降低能耗節(jié)約成本,本文針對(duì)AU工藝考查了AFT101不同溫度參數(shù)對(duì)清洗后晶片平均表面接觸角的影響。其中工藝溫度分別為30°、40°、50°,60°和70°,時(shí)間為5min,濃度為5%,頻率為40kHz,測(cè)試結(jié)果如圖4.4所示。
? ?實(shí)驗(yàn)結(jié)果:
從圖4.4可知,隨著清洗溫度的升高,晶片清洗后平均接觸角逐漸減小,到60°C時(shí)降到最低3.92°,而當(dāng)繼續(xù)升高溫度時(shí),晶片清洗后平均接觸角并沒有減小而是小幅上升。這是因?yàn)殡S著溫度的升高,晶片表面污染物軟化,在超聲波作用下,減弱了污染物對(duì)晶片的吸附作用。同時(shí)溫度的升高,冇利于表面活性劑形成膠束,對(duì)于聚氧乙煩類非離表面活性劑,接近池點(diǎn)時(shí),清洗力最強(qiáng)。此外,在超聲清洗工藝中,淸洗溫度升高使得液體粘滯系數(shù)降低,導(dǎo)致聲壓值和空化閾值下降,有利于空化的發(fā)生。但當(dāng)溫度過高,如圖70℃,此時(shí)超過空化活躍溫度,空化強(qiáng)度減弱,另外表面活性劑達(dá)到池點(diǎn),潤(rùn)濕、分散等能力減弱,極大地削弱了其對(duì)油污的清除能力,導(dǎo)致污染物在品片上殘貿(mào),未能達(dá)到理想的清洗效果。
實(shí)驗(yàn)二:清洗濃度對(duì)晶片清洗后接觸角的影響
? ? ? 實(shí)驗(yàn)步驟:在達(dá)到清洗的的同時(shí),減小清洗成本,獲取更大利潤(rùn)是實(shí)際生產(chǎn)應(yīng)用中不可忽略的問題。為了確定AFT101在AU清洗工藝中最佳的清洗濃度,本文針對(duì)AU工藝考了AFT101不同濃度參數(shù)對(duì)淸洗后晶片平均表面接觸角的影響。其中清洗劑濃度分別為1%、3%、5%、7%和9%,淸洗溫度為60℃,頻率為40kHz,時(shí)間為5min,測(cè)試結(jié)如圖4.5所示。
? ? ? 實(shí)驗(yàn)結(jié)果:如圖4.5所示,隨著清洗劑濃度的增加,清洗后晶片平均表面接觸角隨之減小,當(dāng)清洗劑濃度達(dá)到5%時(shí),清洗后晶片平均表面接觸角達(dá)到最小值4.53°。繼續(xù)增加清洗劑濃度后清洗后晶片平均表面接觸角隨之小幅上升。原因是,當(dāng)清洗液濃度較低時(shí),增加濃度可使工作液中活性物含量增加,提高清洗液潤(rùn)濕、乳化作用,有利于提高清洗效果。但當(dāng)工作也中活性物遠(yuǎn)大于臨界膠束濃度時(shí),形成大型膠束,去污能力降低。另外,過高的的活性物濃度會(huì)導(dǎo)致單位體積內(nèi)分子數(shù)增多,空化氣泡需要較高的聲壓克服氣泡膨脹帶來的壓力,導(dǎo)致空化難以發(fā)生,極大地影響了超聲清洗效果,導(dǎo)致晶片表面潔凈度低,接觸角增大。由此可得知,AU清洗工藝最佳清洗濃度為5%。
? ? ? 實(shí)驗(yàn)三:清洗時(shí)間對(duì)晶片清洗后接觸角的影響
? ? ? 實(shí)驗(yàn)步驟:為了確定AFT101在清洗工藝中最佳的清洗時(shí)間,本文針對(duì)AU工藝考查了AFT101不同時(shí)間參數(shù)對(duì)清洗后晶片平均表面接觸角的影響。其中清洗劑時(shí)間分別為3min、4min、5min,6min和7min,清洗溫度為60°,濃度為5%,頻率為40KHZ;,測(cè)試結(jié)果如圖4.6所示。
? ? ? 實(shí)驗(yàn)結(jié)果:
從圖4.6可得知,隨著清洗時(shí)間的增加,清洗后晶片平均表面接觸角隨之減小,當(dāng)清洗時(shí)間為5min時(shí),清洗后晶片平均表面接觸角達(dá)到站小值3.72°。繼續(xù)增加清洗時(shí)間后潔洗后晶片平均表面接觸角隨之小幅上升。這是因?yàn)?,時(shí)間較短時(shí),淸洗劑中活性物與污染物反應(yīng)不夠充分,吸附在晶片表面的污染物并未全部去除,因此增加清洗時(shí)間能充分去除晶片表面油污,從而提高清洗效率。然而當(dāng)淸洗時(shí)間過長(zhǎng),脫離晶片表面吸附的污染物會(huì)對(duì)晶片造成二次污染,降低表面淸洗效率。同時(shí),超聲波對(duì)品片有空化腐獨(dú)作用,空化腐燭效率與時(shí)間成正比,時(shí)間越長(zhǎng),對(duì)晶片表面損傷越大。
? ? ? ?實(shí)驗(yàn)四:晶片清洗后表面接觸角的研究
? ? ? ?實(shí)驗(yàn)結(jié)果:
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? ? ? ? ?如圖4.9所示,A:未清洗的石英晶片的平均接觸角最大為72.7°表明未清洗的石英晶片表面疏水性強(qiáng);B:經(jīng)過純水超聲波清洗后石英晶片的平均接觸角為43.3°,相比未清洗前表面接觸角存所下降,表明在超聲波的作用下,純水清洗掉晶片表面部分疏水性污染物,但很難徹底清洗干凈,因此平均接觸角大于10°沒有達(dá)到清洗要求;C:經(jīng)過AFT101清洗后石英晶片的平均接觸角小于3°,已超出接觸角測(cè)量?jī)x3°到180°的測(cè)量量程范圍,晶片表面污染物徹底清除,達(dá)到了清洗的潔凈要求。
來源:高遠(yuǎn). 壓電晶體器件襯底超精密清洗的研究[D].大連理工大學(xué),2013.